ESD 放电的四种模型：
- HBM：Human Body Model
- CDM：Charged Device Model
- MM：Machine Model
- FIM：Field-Induced Model
GRNMOS 与 GCNMOS 都是 GGNMOS 的变种，其目的是为了降低 ESD 器件 TLP 曲线中的 Vt1 值。
对于推挽输出级，不需要额外做 ESD，推挽 MOSFET 就可以当作 ESD 器件使用。
GGNMOS 使用时需要将 D 端拉离 Gate 端一些，相当于串了小电阻，来增大 Snap-Back 后单位电流所对应的电压值，防止 ESD MOS 热击穿。
ESD 器件要画 Sailcide Block，防止电流集中于器件表面通过导致器件烧毁。
Q: 为什么 Double Diode 仅在有特殊需求时使用，常规不使用？
A: 在外部有上拉，芯片掉电的情况下，外部会通过 DD 给芯片供电，造成不希望的后果。